收藏本站
IR2105
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, C L = 1000 pF and T A = 25°C unless otherwise specified.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
ton
toff
tr
tf
DT
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Deadtime, LS turn-off to HS turn-on &
—
—
—
—
400
680
150
100
50
520
820
220
170
90
650
ns
V S = 0V
V S = 600V
HS turn-on to LS turn-off
MT
Delay matching, HS & LS turn-on/off
—
—
60
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V and T A = 25°C unless otherwise specified. The V IN , V TH and I IN parameters are referenced to
COM. The V O and I O parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V IH
V IL
V OH
V OL
I LK
I QBS
I QCC
I IN+
I IN-
V CCUV+
V CCUV-
Logic “1” (HO) & Logic “0” (LO) Input Voltage
Logic “0” (HO) & Logic “1” (LO) Input Voltage
High Level Output Voltage, V BIAS - V O
Low Level Output Voltage, V O
Offset Supply Leakage Current
Quiescent V BS Supply Current
Quiescent V CC Supply Current
Logic “1” Input Bias Current
Logic “0” Input Bias Current
V CC Supply Undervoltage Positive Going
Threshold
V CC Supply Undervoltage Negative Going
3
—
—
—
—
—
—
—
—
8
7.4
—
—
—
—
—
30
150
3
—
8.9
8.2
—
0.8
100
100
50
55
270
10
1
9.8
9
V
mV
μA
V
V CC = 10V to 20V
V CC = 10V to 20V
I O = 0A
I O = 0A
V B = V S = 600V
V IN = 0V or 5V
V IN = 0V or 5V
V IN = 5V
V IN = 0V
Threshold
I O+
Output High Short Circuit Pulsed Current
130
210
—
V O = 0V
mA
PW ≤ 10 μs
I O-
Output Low Short Circuit Pulsed Current
270
360
—
V O = 15V
PW ≤ 10 μs
www.irf.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IR2106PBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP
IR2108PBF IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP
IR21091STRPBF IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
IR2109STRPBF IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
IR2110-2PBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP
IR2111PBF IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP
IR2112-1PBF IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
IR21141SSPBF IC DRVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP
相关代理商/技术参数
IR2105STRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE SMD
IR2106 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR21064 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR21064PBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR21064S 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR21064SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 10V to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR21064STR 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW 600V 14-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR21064STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube